Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC

Name: Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8

$ 0.529

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		ZXMHC3F381N8TC	22,500	2500						0.414	5d
Newark	2	ZXMHC3F381N8TC	1,261	5	Cut Tape		1.240	0.901	0.707	0.707
Verical		ZXMHC3F381N8TC	20,000	2500						0.441
Arrow Electronics	2	ZXMHC3F381N8TC	4	1		0.430	0.430	0.430	0.430	0.430
DigiKey	3	ZXMHC3F381N8DICT-ND	69,897	1	Cut Tape	1.740	1.101	0.735	0.528	0.528

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Newark

Datasheet11 页17 年前

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-05-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC 的描述。

ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8

Future Electronics

MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.98A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance

element14 APAC

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.98A I(D), 30V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

Mosfet, Comp, H-Bride, 30V, So8; Transistor, Polaridad:Canal N Y P; Intensidad Drenador Continua Id:3.98A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):0.033Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC

Newark