Vishay SIR878DP-T1-GE3
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574,795
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
40 A
42.5 A
Threshold Voltage
1.2 V
-
Rds On Max
14 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
5 W
-
Input Capacitance
1.25 nF
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-09-14
LTD Date2019-03-14
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Descrições
Descrições de Vishay SIR878DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts
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Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max14 mΩ
Threshold Voltage1.2 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade