Vishay SI7252DP-T1-GE3
$ 1.08
NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI7252DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SI7252DP-T1-GE3 | 1.959 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7252DP-T1-GE3 | 78.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI7252DP-T1-GE3 | 78.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI7252DP-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
Descrições
Descrições de Vishay SI7252DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 100 V 18 mOhm 46 W TrenchFET Mosfet - PowerPAK SO-8
MOSFET, N-CH, 100V, 36.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:36.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:46W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +33.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)36.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationDual
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.17 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade