Vishay SIHP12N50E-GE3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
Descrições
Descrições de Vishay SIHP12N50E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
E Series 500 V 0.380 Ohm 50 nC Surface Mount Power MOSFET - TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.11%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance886 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max380 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Fichas técnicas e documentos
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