onsemi FQPF9N50CF
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Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole
Descrições
Descrições de onsemi FQPF9N50CF fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, FRFET®, 500 V, 9 A, 800 mΩ, TO-220F
Single N-Channel 500 V 44 W 35 nC DMOS Through Hole Mosfet - TO-220F-3
MOSFET, N-CH, 500V, 9A, TO-220F-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.78%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation44 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 MΩ
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time93 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade