Vishay SIHB24N65E-GE3
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Vishay SIHB24N65E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.03%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance145 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.74 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max145 mΩ
Resistance145 mΩ
Rise Time84 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade