Vishay SI7850DP-T1-GE3
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
6.2 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
22 mΩ
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-
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VishaySI4946BEY-T1-GE3
SI4946BEY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Descrições
Descrições de Vishay SI7850DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 / Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET, N-CH, 60V, 6.2A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.2A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 1.8W; Transistor Case Style: PowerPAK SO; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173_SINGLE
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade