Vishay SI4850EY-T1-E3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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VishaySI7850DP-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
VishaySI7850DP-T1-GE3
Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Vishay SI4850EY-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
N-CHANNEL REDUCED QG, FAST SWITCHING MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
POWER MOSFET, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.018OHM, ID 6A, SO-8,PD 1.7W, VGS+/-20V, GFS 25S
1.7W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 60V 22m¦¸@ 6A,10V 6A 18pF@10V SOIC-8 1.75mm
N Channel Mosfet, 60V, 8.5A, Soic-8, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:8.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:3.3W Rohs Compliant: No |Vishay SI4850EY-T1-E3.
MOSFET, N, 8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.7W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Current Id Max:8.5A; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -57.41%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade