Vishay SI7478DP-T1-GE3
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7478DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI7478DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| TTI Asia | SI7478DP-T1-GE3 | Contato | 7h | |||||||||
| Farnell | SI7478DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 2h | |||||||
| Component Stockers USA | SI7478DP-T1-GE3 | 14.919 | 6d |
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Peças relacionadas
VishaySI7460DP-T1-E3
Single N-Channel 60 V 0.0096 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
VishaySI7850DP-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Vishay SI7478DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.0075 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
MOSFET Devices; VISHAY; SI7478DP-T1-GE3; 60 V; 20 V; 1.9 W; 115 ns
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):8.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance7.5 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade