Infineon IRF7855PBF
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Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7855PBF | 11 | 15h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7855PBF | 0 | 3800 | Bulk | 7h | |||||||
| Farnell | IRF7855PBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7855PBF | 10.270 | 80 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7855PBF | 6.331 | 7 | Tube | 14h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Stock
84,269
7,074,869
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
4.9 V
-
Rds On Max
9.4 mΩ
9.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.56 nF
1.56 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Infineon IRF7855PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRF7855PBF N-channel MOSFET Transistor,12 A, 60 V, 8-Pin SOIC
Single N-Channel 60 V 9.4 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
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Infineon SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, 60V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:97mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:7855; Current Id Max:12A; Output Current Max:2.5A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:97mW; Pulse Current Idm:97A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance9.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.4 mΩ
Package Quantity3800
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max9.4 mΩ
Recovery Time50 ns
Resistance9.4 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.9 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade