Vishay SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN Series N-Channel 20 V 0.0062 Ohm Power MosFet SMT - POWERPAK-1212-8
$ 1.076
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
2
SI7106DN-T1-GE3CT-ND2.8161Cut Tape
TTISI7106DN-T1-GE36.0003KTape & Reel
2d
TME
2
SI7106DN-T1-GE303K
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Newark
2
SI7106DN-T1-GE303KTape & Reel
Future ElectronicsSI7106DN-T1-GE303KTape & Reel

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Newark

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Datasheet6 páginas17 anos atrás

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Peças alternativas
VishaySI7106DN-T1-GE3
VishaySI7106DN-T1-E3
Price @ 1000
$ 1.076
$ 1.03
Stock
186,235
759,383
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
12.5 A
12.5 A
Threshold Voltage
-
1.5 V
Rds On Max
6.2 mΩ
6.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 16 Amp 8-Pin SOIC
Detalhes

Descrições

Descrições de Vishay SI7106DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

SI7106DN Series N-Channel 20 V 0.0062 Ohm Power MosFet SMT - POWERPAK-1212-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
Win Source
1.5W(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 27nC@ 4.5 V 1N 20V 6.2m¦¸@ 19.5A,4.5V 12.5A 1212 3.3mm*3.3mm*1.04mm
UnikeyIC
N-CH 20-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
Vishay
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET 20V 19.5A 3.8W 6.2mohm @ 4.5V
Jak Electronics
MOSFET, N, PPAK1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):6.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Pd:1.5W; Rise Time:12ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.5V; Voltage Vgs th Min:0.6V
element14 APAC

Imagens

element14
Newark
iiiC
Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric