Infineon IRF7456TRPBF
$ 0.604
Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7456TRPBF | 0 | 22h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7456TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 14h | |||||||
| Farnell | IRF7456TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 22h | |||||||
| Verical | IRF7456TRPBF | 2.392 | 90 | |||||||||
| Win Source | WS-IRF7456TRPBF | 42.000 | 80 | 23h |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7457TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF3717TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Infineon IRF7456TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.0047Ohm;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;-55
Single N-Channel 20 V 0.0065 Ohm 41 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N Channel Mosfet, 20V, 16A; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:16A; On Resistance Rds(On):0.02Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:12V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.64 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance6.5 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade