Vishay SI3590DV-T1-GE3
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Obsolete
Preço e estoque
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI3590DV-T1-GE3 | 6.000 | 3K | 6h | ||||||||
| Arrow Electronics | SI3590DV-T1-GE3 | 61.850 | 1 | |||||||||
| Verical | SI3590DV-T1-GE3 | 61.848 | 24 | |||||||||
| DigiKey | SI3590DV-T1-GE3CT-ND | 33 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | SI3590DV-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape |
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Stock
1,906,939
898,383
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
1.5 V
-
Rds On Max
77 mΩ
77 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Input Capacitance
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsPMN49EN,135
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Vishay SI3590DV-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP / Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
830mW 12V 1.5V@ 250¦ÌA 4.5nC@ 4.5V 2N+2P 30V 77m¦¸@ 3A,4.5V 2.5A,1.7A 450pF TSOP-6 3.05mm*1.65mm*1mm
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170MOHM @ 4.5V
MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, TSOP6; Transistor Polarity:N and P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.062ohm; Power Dissipation Pd:830mW
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance77 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.15 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation830 mW
Rds On Max77 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade