Vishay IRLU014PBF
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Stock
206,344
3,000
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Continuous Drain Current (ID)
7.7 A
7.7 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
200 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
-
Power Dissipation
2.5 W
-
Input Capacitance
400 pF
-
Descrições
Descrições de Vishay IRLU014PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:7.7A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:25W; No. Of Pins:3Pins; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRLU014PBF.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Current Rating7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance200 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.39 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade