onsemi FQU13N06LTU
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQU13N06LTU | 9.850 | 2381 | 5d | ||||||||
| Flip Electronics | FQU13N06LTU | 9.850 | 7d | |||||||||
| element14 APAC | FQU13N06LTU | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Farnell | FQU13N06LTU | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Win Source | WS-FQU13N06LTU | 1.665 | 185 | 17h |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
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214,226
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
115 mΩ
115 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
350 pF
350 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FQU13N06LTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, IPAK
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-251AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance145 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max115 mΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height8.58 mm
Length6.6 mm
Width2.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade