Vishay IRFD123PBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18
Descrições
Descrições de Vishay IRFD123PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP / Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP
12V, N ch NexFET MOSFET™, single LGA 0.8x1.5, 19mOhm 3-PICOSTAR -55 to 150
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A; Channel Ty; N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A; Channel Type: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 100V; Continuous Drain Current Id: 1.3A; Transistor Mounting: Through Hole; Rds(on) Test Voltage: 10V;
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance360 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade