Vishay IRLD120PBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | IRLD120PBF | 0 | 2500 | Tube | 20h | |||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLD120PBF | 0 | 2500 | Bulk | 8h | |||||||
| Farnell | IRLD120PBF | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| element14 APAC | IRLD120PBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-IRLD120PBF | 9.170 | 30 | 18h |
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18
Descrições
Descrições de Vishay IRLD120PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRLD120PBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 100V, 1.3A, Hd-1; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:1.3A; On Resistance Rds(On):0.27Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: No
MOSFET, N, LOGIC, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:1.3A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRLD120PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time64 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height3.3782 mm
Length6.2738 mm
Width5.0038 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade