Vishay IRFD9110PBF
Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay IRFD9110PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Transistor MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD9110PBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P Channel Mosfet, -100V, 700Ma Hd-1; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:700Ma; On Resistance Rds(On):1.2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
MOSFET, P, DIL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:-700mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:5.6A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating-700 mA
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height3.3782 mm
Length6.2738 mm
Width5.0038 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade