Vishay IRF9530PBF

Name: Vishay IRF9530PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF9530PBF

Single P-Channel 100 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

$ 0.714

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRF9530PBF	5.619	1		0,969	0,694	0,686	0,686	0,686	1d
Newark	2	IRF9530PBF	5.619	1		0,989	0,954	0,946	0,946	0,946
Future Electronics		IRF9530PBF	6.576	30	Tube			0,680	0,645	0,605
CoreStaff		ST63699825	980	1		1,712	1,673	1,112	1,056	1,056	6h
DigiKey		IRF9530PBF-ND	4.008	1	Tube	2,720	2,720	1,197	0,885	0,729

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IHS

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Future Electronics

Upverter

Newark

Farnell

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-07-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrições

Descrições de Vishay IRF9530PBF fornecidas pelos seus distribuidores.

Single P-Channel 100 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

Verical

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, P, -100V, -12A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-12A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.7°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:88W; Power Dissipation Pd:88W; Pulse Current Idm:48A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC

Imagens

Vishay

DKO Electronshik

TME

Conrad

Distrelec

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

SOS electronic

Newark

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Polytech
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IRF 9530 PBF
IRF9530PBF.

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses: -38.24%

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Peças alternativas

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Current Rating-12 A

Drain to Source Breakdown Voltage-100 V

Drain to Source Resistance300 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time39 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance860 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation88 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation88 W

Rds On Max300 mΩ

Recovery Time240 ns

Resistance300 mΩ

Rise Time52 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-4 V

Turn-Off Delay Time31 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)-100 V

Dimensions

Height19.89 mm

Length10.41 mm

Width4.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Datasheet9 páginas14 anos atrás

Future Electronics

Upverter

Newark

Farnell

Conformidade

Classificação ambiental

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement5 páginas14 anos atrás