Infineon IRF9530NPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.2 Ohm; Id -14A; TO-220AB; Pd 79W; Vgs +/-20V
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrições

Descrições de Infineon IRF9530NPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-20V
Single P-Channel 100 V 0.2 Ohm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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Infineon SCT
Transistor MOSFET P-Ch. -14A/-100V TO220 IRF 9530N PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: P Power dissipation: 79 W
100 Volt 14 Amp Single P-Channel HEXFET Power MOSFET SO Package
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Channel Mosfet, -100V, 14A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9530NPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, P, -100V, -14A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:75W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-14A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF9530N; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.9°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:75W; Power Dissipation Pd:75W; Pulse Current Idm:52A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRF 9530 N PBF
  • IRF 9530N PBF
  • IRF9530N
  • IRF9530N PBF
  • IRF9530NPBF.
  • SP001570634