Vishay IRF530PBF

Name: Vishay IRF530PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF530PBF

Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

$ 0.477

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF530PBF	1.759	1		0,688	0,655	0,647	0,647	0,647	1d
Newark	2	IRF530PBF	1.759	1		0,688	0,688	0,688	0,688	0,688
Verical	3	IRF530PBF	840	24				0,542	0,397	0,397
Arrow Electronics	3	IRF530PBF	851	1		0,844	0,546	0,542	0,469	0,469
Future Electronics		IRF530PBF	23.255	40	Tube			0,505	0,485	0,450

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IHS

Datasheet7 páginas2 anos atrás

Datasheet9 páginas14 anos atrás

Newark

Farnell

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Burklin Elektronik

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

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Detalhes

Descrições

Descrições de Vishay IRF530PBF fornecidas pelos seus distribuidores.

Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

Verical

Vishay N channel power MOSFET, 100 V, 14 A, TO-220, IRF530PBF

Burklin Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, 100V, 14A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:14A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.7°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:88W; Power Dissipation Pd:88W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Imagens

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

SOS electronic

iiiC

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Polytech
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IRF 530 PBF
IRF530PBF.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Current Rating14 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance160 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance670 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation88 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation88 W

Rds On Max160 mΩ

Recovery Time280 ns

Resistance160 mΩ

Rise Time30 ns

Schedule B8541290080

TerminationThrough Hole

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time23 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height19.89 mm

Length10.41 mm

Width4.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

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Rohs Statement5 páginas14 anos atrás