Vishay IRF740STRRPBF
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306,760
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
400 V
400 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
10 A
10 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
550 mΩ
550 mΩ
550 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
1.4 nF
1.4 nF
1.4 nF
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB11NK40ZT4
N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
Descrições
Descrições de Vishay IRF740STRRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
MOSFET N-CHANNEL 400V
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
NCHAN IRF740STRRPBF
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:400V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):550mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SMD-220 ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max550 mΩ
Rise Time27 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade