Vishay IRF740ASPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiFQB11N40TM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Tc 11.4A 3.13W 60ns
STMicroelectronicsSTB11NK40ZT4
N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
Descrições
Descrições de Vishay IRF740ASPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:125W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max550 mΩ
Resistance550 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade