Texas Instruments CSD19506KTTT
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2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
200 A
200 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.3 mΩ
2.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
12.2 nF
12.2 nF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
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InfineonIRFS3006PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD19506KTTT fornecidas pelos seus distribuidores.
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.3 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175
IC MOSFET N-CH 80V TO-220 / Trans MOSFET N-CH 80V 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 T/R
Small Reel Version Of Csd19506ktt
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins2
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance12.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max2.3 mΩ
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.4 mm
Width8.41 mm