Texas Instruments CSD17576Q5BT
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2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
-
4.43 nF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Recursos de engenharia
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Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD17576Q5BT fornecidas pelos seus distribuidores.
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
CSD17576Q5B 30V, N CHANNEL NEXFE
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.1 W
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height0 m
Length5 mm
Thickness950 µm
Width5 mm