Infineon IRFH7932TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
$ 0.491
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFH7932TRPBF2.9981
Rochester ElectronicsIRFH7932TRPBF20.084
1d
RS (Formerly Allied Electronics)IRFH7932TRPBF04KBulk
16h
Farnell
2
IRFH7932TRPBF2.7111Cut Tape
9h
Mouser942-IRFH7932TRPBF4.4171Tape & Reel

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Future Electronics

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Peças alternativas
InfineonIRFH7932TRPBF
InfineonIRFH7932TR2PBF
Price @ 1000
$ 0.491
$ 0.53
Stock
1,058,656
20,445
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
25 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
3.3 mΩ
3.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.4 W
3.1 W
Input Capacitance
4.27 nF
4.27 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IRFH7932TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Future Electronics
Transistor MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin QFN T/R
Avnet Japan
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:24mA; On Resistance, Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
MOSFET, N, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:3.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.4W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
element14 APAC

Imagens

element14 APAC
Newark
Augswan
TME
iiiC
RS APAC
LZChips
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRFH7932
  • IRFH7932TRPBF.
  • IRFH7932TRPBF..
  • SP001556482