STMicroelectronics STS11NF30L
$ 0.486
Obsolete
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STS11NF30L | 1.182 | 3 | |||||||||
| Arrow Electronics | STS11NF30L | 1.182 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STS11NF30L | 0 | 5 | Bulk | 15h | |||||||
| element14 APAC | STS11NF30L | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Farnell | STS11NF30L | 0 | 1 | Cut Tape | 19h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Peças relacionadas
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STS11NF30L fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30V - 0.009 Ohm - 11A - SO-8 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
2.5W(Tc) 18V 1V@ 250¦ÌA 30nC@ 5 V 1N 30V 10.5m¦¸@ 5.5A,10V 11A 1.44nF@25V SOIC-8 5mm*4mm*1.65mm
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 30V, RDS(ON) 0.0085OHM, ID 11A, SO-8,PD 2.5W, VGS+/-18V,-55C
N CHANNEL MOSFET, 30V, 11A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:11A; On Resistance Rds(on):0.0085ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.25 mm
Length5 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant