Vishay SI4128DY-T1-GE3
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRF7403TRPBF
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS11N3LLH5
Mosfet Transistor, N Channel, 11 A, 30 V, 0.0117 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Descrições
Descrições de Vishay SI4128DY-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 0.024 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET, N-CH, VDS 30V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 20MOHM, ID 10.9A, SO-8, PD 5W
Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SI4128DY-T1-GE3; 30 V; 10.9 A; 20 V; 15 ns
Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA
Vishay NMOS, Vds=30 V, 7.5 A, SOIC, , 8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 10.9A, SO8; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:10.9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V RoHS Compliant: No
MOSFET, N-CH, 30V, 10.9A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.9A; Power Dissipation Pd:5W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance435 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade