onsemi FDS6692A
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTS11NF30L
N-Channel 30V - 0.009 Ohm - 11A - SO-8 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FDS6692A fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 11.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 9A, 11.5mΩ
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0082OHM, 9A, SOIC-8
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
MOSFET, N CH, 30V, 0.0082OHM, 9A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.47W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.61 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.47 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.47 W
Rds On Max11.5 mΩ
Resistance11.5 MΩ
Rise Time32 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.575 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade