STMicroelectronics STP185N55F3
$ 3.095
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-7513-5-ND | 2 | 1K | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STP185N55F3 | 108 | 600 | Tray | 18h | |||||||
| Component Stockers USA | STP185N55F3 | 2.151 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STP185N55F3 | 63.600 | 18 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP185N55F3 | 22.173 | 7 | Tube | 1h |
Fichas técnicas e documentos
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 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP190N55LF3
N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
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NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP185N55F3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 55 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Single N-Channel 55 V 3.8 mOhm 100 nC 330 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant