onsemi FDP030N06B-F102
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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onsemiFDP023N08B-F102
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Descrições
Descrições de onsemi FDP030N06B-F102 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-220 Rail
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 195A, 3.1mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
205W(Tc) 20V 4V@ 250µA 99nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3.1mΩ@ 100A,10V 120A 8.03nF@30V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation205 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation205 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height19.85 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade