STMicroelectronics STI57N65M5
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Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STI57N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK package
STI57N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 42 A, 710 V, 3-PIN I2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Single N-Channel 710 V 250 W 98 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-262
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 650V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
16/32-Bits Micros |Stmicroelectronics STI57N65M5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max63 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time73 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant