Infineon SPI20N60CFDXKSA1
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Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Descrições
Descrições de Infineon SPI20N60CFDXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Transistor, Cool MOS, 650V, 20.7A, 3-pin TO-262
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
SPI20N60 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET;
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.7 A
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time12 ns
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