Infineon IPI60R099CPXKSA1
$ 3.52
Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rutronik | TMOSP9837 | 4.000 | 50 | 6h | ||||||||
| Rochester Electronics | IPI60R099CPXKSA1 | 1.000 | 23h | |||||||||
| Avnet | IPI60R099CPXKSA1 | 0 | 500 | 2d | ||||||||
| Mouser | 726-IPI60R099CP | 453 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | IPI60R099CPXKSA1 | 1.570 | 300 | Tube | 17h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTFI40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI40N65M2
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N-channel 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK
Descrições
Descrições de Infineon IPI60R099CPXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Single N-Channel 650 V 99 mOhm 60 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-262-3, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:255W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation255 W
Rds On Max99 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade