STMicroelectronics STF5NK100Z
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP5NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF3NK100Z
STF3NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220FP
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF5NK100Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-CHANNEL 1000V - 3 Ohm - 3.5A - TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP / Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STF5NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220FP
N-Channel 1000 V 3.7 Ohm SuperMESH3 Power MosFet TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Through Hole
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=1000 V, 3.5 A, TO-220FP, , 3
MOSFET, N CH, 1KV, 3.5A, TO220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.75A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 30V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; P
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.94%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.154 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max3.7 Ω
Resistance3.7 Ω
Rise Time7.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time51.5 ns
Turn-On Delay Time22.5 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant