onsemi FQPF4N90CT
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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N-Channel 900 V 4.8 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FQPF4N90CT fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 4 A, 4.2 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
47W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 22nC@ 10V 1N 900V 4.2¦¸@ 2A,10V 4A 960pF@25V TO-220F 10.67mm*4.7mm*16.3mm
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance960 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max4.2 Ω
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time25 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade