STMicroelectronics STF35N60DM2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
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Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTP45N60DM2AG
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF35N60DM2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP package
N-Channel 600 V 110 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Po
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.81%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max110 mΩ
Threshold Voltage4 V
Fichas técnicas e documentos
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