Infineon IPA60R125P6XKSA1
$ 1.536
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rutronik | HVMOS1316 | 1.500 | 500 | 17h | ||||||||
| Rochester Electronics | IPA60R125P6XKSA1 | 3 | 10h | |||||||||
| Newark | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 500 | 3d | ||||||||
| Future Electronics | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 500 | Tube |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP45N60DM2AG
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descrições
Descrições de Infineon IPA60R125P6XKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N-Channel 600V 30A 3-Pin TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Mosfet, N-Ch, 600V, 30A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.113Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA60R125P6XKSA1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +17.37%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.66 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation34 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time14 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade