STMicroelectronics STF11NM60ND
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2025-05-21
LTD Date2025-11-21
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP11NM60FDFP
N-Channel 600V - 0.4Ohm - 11A FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STMicroelectronicsSTF14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF11NM60ND fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.37 Ohm typ., 10 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 600 V 450 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
600 V, 10 A, 0.37 OHM, TO-220FP FDMESH II N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 10A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.91%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant