STMicroelectronics STF11N65M5
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
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Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
onsemiFCPF380N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF11N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF11N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 710 V, 3-Pin TO-220FP
25W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 650V 480m¦¸@ 4.5A,10V 9A 644pF@100V TO-220FP 16.4mm
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 9A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF11N65M5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -7.92%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance644 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max480 mΩ
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant