STMicroelectronics STF13N60M2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
VishaySIHF12N60E-GE3
33W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 16.12mm
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF13N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF13N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 5.5A,10V 11A 580pF@100V TO-220FP 20mm
N-Channel 600 V 380 mO 17 nC Flange Mount MDmesh II Plus Mosfet - TO220FP
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 11A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF13N60M2
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant