STMicroelectronics STD44N4LF6
$ 0.578
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STD44N4LF6 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD44N4LF6 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 497-11098-1-ND | 7.012 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STD44N4LF6-STM-0 | 2.500 | 2500 | 23h | ||||||||
| Avnet | STD44N4LF6 | 0 | 2500 | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
VishaySUD50N04-8M8P-4GE3
SUD50N04-8M8P-4GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 40 V, 3-PIN TO-252
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD44N4LF6 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 40 V, 8.9 mOhm, 44 A , DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Single N-Channel 40 V 18 mOhm 22 nC 50 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 40V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 40V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 40V, 44A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max12.5 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant