onsemi FDD8878
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Authorized Distributors
3
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
35 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
1.2 V
-
-
Rds On Max
15 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
40 W
-
-
Input Capacitance
880 pF
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FDD8878 fornecidas pelos seus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 40A, 15mΩ
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
FDD8878 Series 30 V 11 A 15 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance880 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time79 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade