STMicroelectronics STB4NK60ZT4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB4NK60ZT4 | 65 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB4NK60ZT4 | 2.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB4NK60ZT4 | 983 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-STB4NK60ZT4CT-ND | 4.257 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB4NK60ZT4 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB5NK50ZT4
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB4NK60ZT4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK
STB4NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=600 V, 4 A, D2PAK (TO-263), , 3
MOSFET, N CH, 600V, 4A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.76ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 70W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 4A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant