STMicroelectronics STB5NK50ZT4
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB5NK50ZT4.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB5NK50ZT4 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
Transistor MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 500V, 4.4A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Nenhum dado disponível
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB5NK50ZT4.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant