STMicroelectronics STB3N62K3
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB3N62K3.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de STMicroelectronics STB3N62K3 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-29
LTD Date2014-07-29
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB3NK60ZT4
STB3NK60ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 600 V, 3-Pin D2PAK
STMicroelectronicsSTB4NK60ZT4
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB3N62K3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet Transistor, N Channel, 2.7 A, 620 V, 2.2 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 620V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance385 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation45 W
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time6.8 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB3N62K3.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant