onsemi SMMBT5551LT1G
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
600 mA
60 mA
60 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi SMMBT5551LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI SMMBT5551LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 160 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); SMMBT5551LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 160 V; 60 mA; 3
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
160V 225mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
SMMBT Series 160 V 60 mA SMT PNP Silicon High Voltage Transistor - SOT-23-3
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General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=80 P=225mW SOT23
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.225W, SOT-23.; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Tran
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade