onsemi MMBT5551LT3G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT5551LT3G | 350.000 | 10K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | MMBT5551LT3G | 24 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MMBT5551LT3G. | 350.000 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | MMBT5551LT3G | 70.000 | 10K | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBT5551LT3G | 26.296 | 1 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
60 mA
60 mA
60 mA
Transition Frequency
200 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
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Cut Tape (CT) Single 3 Contains Lead Bipolar (BJT) Transistor 600mA 225mW 180V 150C
Descrições
Descrições de onsemi MMBT5551LT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI MMBT5551LT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 160 V, 3-PIN SOT-23
MMBT5551 Series NPN 160 V 0.6 A SMT High Voltage Silicon Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
High Voltage NPN Bipolar Transistor
General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=80~250 P=225mW SOT23
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
60 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:160V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-; Dc Current Gain Hfe Min:80Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5551LT3G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current60 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade