onsemi SBC846BPDW1T1G
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831,202
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN, PNP
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
380 mW
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
onsemiSBC846BDW1T1G
Bipolar Transistors (BJT); SBC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA
Descrições
Descrições de onsemi SBC846BPDW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
SBC846B Series 65 V 100 mA NPN/PNP Dual General Purpose Transistor - SOT-363
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
65V 380mW 200@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-323-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
General Purpose Transistors NPN+PNP 65V 100mA SOT-363
Automotive AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN PNP Bipolar (BJT) Transistor Array 200 @ 2mA 5V 15nA ICBO 380mW 100MHz
TRANSISTOR ARRAY, AEC-Q101, NPN/PNP, 65V; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: SO
TRANSISTOR ARRAY, 65 V, 0.1 A, SOT-363-6; Transistor Polarity:Complementary NPN and PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:65V; Collector Emitter Voltage Max PNP:65V; Continuous Collector Current NPN:100mA; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight7.512624 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade