onsemi BC846BDW1T1G
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| Future Electronics | BC846BDW1T1G | 14.889.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC846BDW1T1G | 1.020.000 | 3K | 10h | ||||||||
| Newark | BC846BDW1T1G | 4.848 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | BC846BDW1T1G | 147.000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | BC846BDW1T1G | 147.000 | 3K | Bulk |
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6
1
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
380 mW
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC846BDW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); BC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW
ON SEMI BC846BDW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 6-PIN SC-88
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BC846BDW1 Series Dual NPN 65 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-363
65V 380mW 200@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-323-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
General Purpose Transistors Dual NPN Ic=100mA Vceo=65V hfe=200~450 P=380mW SOT363
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
Bipolar Transistor, Npn, Dual, 65V, Sot363, Full Reel; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:65V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:100Ma; Power Dissipation Npn:380Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC846BDW1T1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade